RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
43
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.7
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
3318
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link