RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
101
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
101
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
1313
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link