RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,285.0
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
68
Wokół strony -134% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,165.3
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,285.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
784
3567
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905403-060.A00LF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link