RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,285.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
68
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,165.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,285.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
784
2925
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link