RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,285.0
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
68
Por volta de -183% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,165.3
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,285.0
12.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
784
2925
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link