RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2323
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link