RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
76
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
76
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2087
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link