RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3807
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link