RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3413
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link