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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
46
左右 -59% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
29
读取速度,GB/s
4,937.3
17.4
写入速度,GB/s
2,061.2
13.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3413
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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