RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3386
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link