RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
50
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
50
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2424
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link