RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2755
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link