RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2559
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link