RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2974
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link