RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3379
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link