RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
65
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3819
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link