RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3809
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link