RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
38
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
21.4
Скорость записи, Гб/сек
12.0
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3809
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link