RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3541
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link