RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2821
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link