RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
46
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2469
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link