RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
71
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2588
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link