RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
46
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
17
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3550
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link