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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
16.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
46
左右 -171% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
17
读取速度,GB/s
4,937.3
20.9
写入速度,GB/s
2,061.2
16.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3550
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
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