RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3879
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link