RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3544
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link