RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3668
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link