RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
19.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
4394
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link