RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1617
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link