RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
50
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3963
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link