RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3340
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link