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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
50
En -85% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
3963
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
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