RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
46
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3246
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link