RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2994
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link