RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
17.3
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2994
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link