RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
52
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
52
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2169
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link