RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3264
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link