RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2462
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link