RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2609
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link