RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
66
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.6
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
2,978.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
54
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
7.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
1611
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link