RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3238
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link