RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2623
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link