RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2623
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link