RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
46
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2400
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link