RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
57
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.5
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
57
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2213
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link