RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
64
Wokół strony -276% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
17
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3702
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link