RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
46
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2468
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link