RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2713
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link