RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3026
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link