RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3026
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link