RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2490
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link